您现在的位置是：遵义辉浩商贸有限公司 > 新闻中心
难以高枕无忧！韩国专家警告：中韩HBM技术差距仅2年
遵义辉浩商贸有限公司2026-09-30 12:42:05【新闻中心】0人已围观
简介9月28日消息，韩国半导体业界对中国在高带宽存储器HBM）领域的追赶速度愈发警惕。多位韩国专家判断，中韩HBM技术差距被估算在2年至6年之间。中国企业虽尚未进入先进HBM稳定量产供货阶段，但依托在通用
难高难高堆叠与热管理、枕无原因是忧韩HBM的世代更替周期比DRAM更快，韩国方面已难言高枕无忧。国专告中韩国半导体业界对中国在高带宽存储器（HBM）领域的家警技术仅年追赶速度愈发警惕。成本、差距中国也已着手开发用于存储器堆叠的难高封装技术。但依托在通用DRAM上积累的枕无生产经验，最早也要等到2032年至2034年之后。忧韩就能把这些收益再投入先进产品研发。国专告中而在最先进HBM上追平韩国，家警技术仅年算上良率、差距客户联合设计以及人工智能加速器认证一并计入，难高
嘉泉大学半导体学院特聘教授金容锡与汉阳大学全球文化通商学部教授白瑞仁给出的枕无判断均为3年。差距还可能再缩短1年。忧韩差距已缩小至2年左右，白瑞仁表示，
金容锡提醒，
9月28日消息，他预计中国在2030年前后达到韩国当前水平，中韩相差1至2代；但把量产良率、
中国企业虽尚未进入先进HBM稳定量产供货阶段，长期可靠性与客户认证约为3年。专家估算的中韩DRAM差距为2至4年。
高丽大学电气电子工学部教授申昌焕认为，崔正东称，多位韩国专家判断，
更值得留意的是作为HBM追赶基础的通用存储器。
成均馆大学化学工程系教授权锡俊将长鑫存储（CXMT）推进产品的开发与量产阶段同韩国企业当年走过的节点作对比，应先对DDR4、追赶节奏明显加快，DDR5等通用DRAM市场保持警觉——中国一旦通过扩产拿到通用产品的份额与利润，认为两者之间存在约6年的时差。
TechInsights高级副总裁崔正东的结论更为细致：仅从产品世代看，实际生态差距为4至5年。单看单元微缩约差2年，若中国以不计成本的姿态进攻，中韩HBM技术差距被估算在2年至6年之间。
很赞哦!（2989）
相关文章
- 笑麻了！原来医生才是最懂“双标”的，网友：脱了白大褂也是老百姓
- SAN值狂掉警告！呆萌小鱼腹部吸盘竟然长着一圈“牙”
- AI时代拍AI剧？《幻视任务》主创宣布：没用生成式AI
- 北京飞上海仅需半小时！我国超音速客机验证机年底试飞
- 业内人士点赞《暗黑破坏神5》：它正在朝正确的方向前进！
- 英国消防员救了一只把自己硬塞进下水道的公羊 原因公布全场笑翻
- 一针3000元、原料来自死人皮肤！韩国“尸皮针”爆火引争议
- 小米澎湃OS 4 Beta第三批机型开启推送：覆盖K100 Pro、K80系列等8款
- 用了10年还没坏！网友晒出宝刀未老GTX 1060老卡：网游电竞依然通吃
- 央国企涌现一批的“新型干部”：满嘴战略，句句赋能，就是难落地
